Une mémoire UFS pour le prochain Galaxy S6

2 décembre 2014 | By | Add a Commentaire

La toile ne cesse de nous proposer un maximum d’informations quant à la prochaine merveille technologique de Samsung, le S6, en effet selon le site high tech ETNews, la firme Sud Coréenne proposera un stockage interne NAND Flash qui aura pour nom d’UFS 2.0.

L’UFS ne vous dit peut etre rien mais il s’agit tout simplement de la mémoire flash, plus globalement cette nouvelle technologie est une combinaison entre un SSD haute vitesse (pour des vitesses de transfert importantes) et une carte eMMC (pur une réduction de la consommation).

Selon certaines sources, le stockage flash pourrait atteindre des vitesses en lecture/écriture d’environ 1,2 GO/s, une vitesse bien au-delà de celle déjà proposée sur le marché (400 Mo/s) par la technologie eMMC (multipliées par trois, soit plus de 1 Gbps) que la mémoire flash actuelle de bon nombre de terminaux.

ufs-galaxys6

Samsung ne sera pas seul fabriquant à proposer de la mémoire UFS, SK Hynix ou Toshiba devraient également se positionner sur le sujet mais le géant Sud coréen a un avantage non négligeable par rapport aux autres c’est de pouvoir trouver des débouchés immédiats et en larges volumes dans ses propres produits.

Une bonne nouvelle donc pour le futur Galaxy S6 qui pourrait voir débarquer en plus de nombreuses autres fonctionnalités, une nouvelle technologie de haute qualité.

Reste à savoir quel sera le coût de cette « révolution » quand ce type de mémoire flash sera intégré dans les produits finis.

Affaire à suivre

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Categorie: Accessoires Galaxy S6

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